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询价产品信息
l 低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。
l 工作电压：2.7V～5.5V，工作温度为-40℃～+85℃。
l 标准IIC总线接口方式,速度400KHZ(4.5V～5.5V)。
l 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
l 闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。
l 可选择12/24小时制式.
l 内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96种组合报警
方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式，报警时间长可设至100年。
l 周期性频率中断输出:从4096Hz～1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲.
l 自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟），定时为244us，长定时可到31年，通过计算可获得较的毫秒级定时值。
l 三种中断均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位.
l 内置70字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。
l 具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出。
l 内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温，电池模式600S间隔测温。
l 内置晶振和谐振电容，芯片内部通过高精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能，其中25℃精度<±3.8ppm（即每月误差10S）。
l 具有性或充电的后备电池输入脚VBAT ，其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电，内置的充电限流电阻可位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种。
l 内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。
l 芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电；当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。（内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0，VBAT模式时PMF=1）。
l 内置8字节的ID码（OTP型），芯片出厂之前设定的、的身份识别码。
l 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免IIC总线挂死问题。
l 内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。
l 内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值BATIIC=0)，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。
l 内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源次上电时该位置1。
l 内置电池电压欠压指示位BLF，当电池电压低于2.2V时BLF位置1。
l 内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。
l 芯片管脚抗静电(ESD)>2KV。
l CMOS 工艺
l 封装形式：SOP8(宽度208mil)。